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목록과잉 캐리어 (2)
읽고 기록하는 삶
[물리전자] 6.1.2 과잉 캐리어의 생성과 재결합(Excess Carrier Generation and Recombination )
CHAPTER 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 들어가며 오늘은 외부 자극에 의해 발생한 과잉 캐리어(Excess Carrier)가 시간에 따라 어떻게 변화하는지 알아보겠습니다. 바로 이전 글의 내용을 요약하면 다음과 같습니다. 6.1.2 Excess Carrier Generation and Recombination 시간 변화에 따른 전자의 농도(Electron Concentration)에 대해 알아보겠습니다. 아래의 그림을 보겠습니다. 반도체에 외부 자극 인가 후, 다시 평형 상태가 될 때까지 전자의 농도가 어떻게 변화하는지에 대한 그래프입니다. 크게 5단계로 나누어 생각해 볼 수 있는데요. 구간별로 차례대로 알아보겠습니다. 구간 ① 외부 자극을..
[물리전자] 6.1 캐리어의 생성과 재결합(Carrier Generation and Recombination)
CHAPTER 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 들어가며 지금까지 우리는 평형 상태일 때의 반도체 특성을 알아보았습니다. 외부 자극에 의한 캐리어의 생성은 고려하지 않았죠. 오늘부터 다루게 될 내용은 외부 자극에 의해 발생하는 반도체 특성 변화에 대한 내용입니다. 즉, Chapter 5까지는 전자의 농도(n0)와 정공의 농도(p0)를 다룰 때, 공간과 시간에 대해 고려하지 않았는데요. Chapter 6에서부터는 외부 자극에 의해 공간과 시간의 함수로 표현되며 이로 인해 파생되는 여러 관계식에 대해 다룰 것입니다. 새로운 주제인 만큼, 새로운 개념과 용어가 많이 등장하여 이해가 어려울 수 있습니다. 틀린 부분은 언제든지 피드백 부탁드립니다. 들어가기..