일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
27 | 28 | 29 | 30 |
- Scattering
- 서울 경찰서 위도/경도
- 나노분석평가
- 에너지밴드
- 캐리어 농도
- Charge Carriers
- 반도체공학
- 생성(Generation)
- 물리전자
- Density Of states function
- Excess Carrier
- 확산 전류
- 한국나노기술원
- 파동 함수
- 앰비폴러 전송 방정식
- 서울 자치구별 경찰서
- neamen
- Wave Function
- Semiconductor
- 유효질량
- Drift Current
- Fermi Energy Level
- 과잉 캐리어
- Energy Band
- 페르미 에너지 준위
- Diffusion Current
- KANC
- Mobility
- 재결합(Recombination)
- Ambipolar transport equation
- Today
- Total
목록Fermi Energy Level (2)
읽고 기록하는 삶

CHAPTER 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 들어가며 오늘은 간략하게 준 페르미 에너지 준위(Quasi-Fermi Energy Levels)에 대해 알아보겠습니다. 이미 지난 글(4.1.4 / 4.6)에서 평형 상태일 때의 페르미 준위에 대한 내용을 다룬 적 있습니다. 기억 나시나요? 오늘 내용은 반도체 내 과잉 캐리어(Excess carrier)가 생성되었을 때의 페르미 준위에 대한 내용입니다. 그럼, 페르미 에너지 준위(Fermi Energy Levels)에 대한 정의를 상기하며 시작하겠습니다. 페르미 에너지 준위(EF)란? : the energy below which all states are filled with electrons and..

CHAPTER 4 The Semiconductor in Equilibrium 들어가며 우리는 Chapter 4.1.4에서 진성 반도체(Intrinsic Semiconductor)의 진성 페르미 에너지 준위(EFi)에 대해 학습했었습니다. 오늘은 관련 내용과 함께, 불순물 반도체(Extrinsic Semiconductor)의 페르미 에너지 준위(EF)에 대해 알아보겠습니다. 4.6 Posotion of Fermi Energy Level 진성 반도체(Intrinsic Semiconductor)에 도핑(Doping)을 하면 필연적으로 페르미 에너지 준위(EF)의 위치가 변하게 됩니다. 페르미 에너지 준위(EF)의 정의를 다시 한번 보겠습니다. ( 다른 표현으로 정의하기도 하지만, 이 책에서는 가장 간단한 형태..