Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | ||||
| 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
Tags
- Scattering
- 파동 함수
- Drift Current
- 한국나노기술원
- Energy Band
- 서울 경찰서 위도/경도
- Fermi Energy Level
- 확산 전류
- 서울 자치구별 경찰서
- Diffusion Current
- 반도체공학
- Semiconductor
- 생성(Generation)
- Wave Function
- Charge Carriers
- 앰비폴러 전송 방정식
- 에너지밴드
- KANC
- 페르미 에너지 준위
- 과잉 캐리어
- Density Of states function
- Ambipolar transport equation
- Excess Carrier
- 캐리어 농도
- 유효질량
- 나노분석평가
- neamen
- 물리전자
- Mobility
- 재결합(Recombination)
Archives
- Today
- Total
반응형
목록준 페르미 에너지 준위 (1)
반응형
읽고 기록하는 삶
[물리전자] 6.4 준 페르미 준위 에너지(Quasi-Fermi Energy Levels)
CHAPTER 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 들어가며 오늘은 간략하게 준 페르미 에너지 준위(Quasi-Fermi Energy Levels)에 대해 알아보겠습니다. 이미 지난 글(4.1.4 / 4.6)에서 평형 상태일 때의 페르미 준위에 대한 내용을 다룬 적 있습니다. 기억 나시나요? 오늘 내용은 반도체 내 과잉 캐리어(Excess carrier)가 생성되었을 때의 페르미 준위에 대한 내용입니다. 그럼, 페르미 에너지 준위(Fermi Energy Levels)에 대한 정의를 상기하며 시작하겠습니다. 페르미 에너지 준위(EF)란? : the energy below which all states are filled with electrons and..
Semiconductor/Device Physics
2023. 8. 12. 01:35